삼성전자가 낸드 플래시 메모리의 수요 증가에 대응하기 위해 중국 현지 반도체 생산라인을 설립하기로 했다. 삼성전자는 6일 공시를 통해 지식경제부에 해외 생산라인 설립을 위한 신청서를 제출했다고 밝혔다.

삼성전자는 이번에 추진되는 반도체 라인에서 20나노급 이하 낸드 플래시 제품을 생산할 계획이라고 밝혔다. 20나노급 이하 낸드플래시는 스마트폰, 태블릿 등의 급속한 확산으로 수요가 증가하고 있다.

삼성전자의 해외 반도체 생산라인 설립은 미국 텍사스주 오스틴에 이어 2번째이다. 중국 쑤저우에 있는 라인은 조립을 위한 라인이다.

삼성전자의 중국 반도체 생산라인 설립 추진은 세계 메모리 반도체 시장에서 중국의 중요성이 점차 부각되는 것을 고려한 적극적인 대응 전략으로 풀이된다.

삼성전자는 정부에 설립 신청을 하는 동시에 중국 지방 정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상을 시작할 계획이다. 삼성 측에 따르면 절차가 원만하게 잘 진행될 경우 2012년 생산라인 건설을 시작해 2013년에는 가동에 들어간다는 목표를 세운 상태다.