▲ 삼성전자 반도체 생산라인 기공식에 참석한 마중핑 성정협 주석, 이규형 주중 한국대사, 자오러지 산시성 서기, 권오현 삼성전자 대표이사 부회장, 자오쩡융 산시성 성장, 윤상직 지식경제부 차관(왼쪽부터).

삼성전자가 중국 산시성 시안시에 차세대 낸드 플래시메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다.

삼성전자는 12일 대표한 자오러시 산시성 서기, 이규형 주중대사, 윤상직 지경부 차관, 권오현 대표 등이 참석한 가운데 '삼성중국 반도체' 생산단지 기공식을 가졌다.

이날 행사에서 리커창 중국 국무원 부총리는 축하 서신을 통해 "이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과"라고 말했다.

이어 권오현 대표는 환영사에서 "한중수교 20주년을 맞아 첨단과학과 교육의 도시인 시안에서 기공식을 갖게돼 영광"이라며 "삼성전자는 메모리산업에서 세계 1위 자리를 유지해 왔으며, 향후에도 '삼성중국반도체'를 통해 최고의 제품으로 보답할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자 시안공장은 초기 투자액 23억달러, 총 투자액 70억달러의 역대 최대 규모로 2014년부터 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획이다.

삼성전자는 지난해 화성 16라인을 준공한지 1년 만에 시안 생산라인 건설에 착수함으로써 국내외 균형있는 투자를 지속하고 있다. 또한 이번 삼성전자의 투자를 통해 160여 협력사들이 중국에 진출을 할 수 있는 계기를 마련했다.