고성능 '10나노급 128Gb 낸드플래시 메모리' 양산 돌입
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삼성전자는 지난해 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시 양산에 이어 다섯달 만에 2배 용량의 128Gb 낸드플래시 양산에 들어갔으며, 이를 통해 대용량 SSD 등 대용량 메모리 스토리지 라인업을 강화하게 됐다.
이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 토글 DDR 2.0의 고속 인터페이스를 적용한 업계최고 수준의 고성능 제품이다.
삼성전자는 2010년 양산을 시작한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시를 지난해 9월 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB 이상 대용량 SSD 시장을 크게 확대시켰다.
전영현 메모리사업부 부사장은 "이번 128Gb 낸드플래시 양산으로 대용량 스토리지 시장에서 경쟁력을 강화하게 됐다"며 "향후에도 차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응할 것"이라고 밝혔다.
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