올 세계 D램 시장 규모가 지난해보다 20억달러 이상 늘 것으로 전망되는 가운데 삼성전자가 차세대 '20나노 4기가비트(Gb) DDR3(사진)'의 양산을 시작했다.

20나노 D램은 2012년 삼성이 세계 첫 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다.

이번에 양산하는 20나노 D램에는 삼성의 신개념 '개량형 이중포토 노광기술'과 '초미세 유전막 형성기술'을 동시에 적용했다.

낸드 플래시는 셀(정보저장 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성돼 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터의 적층구조로 20나노 공정 미세화가 어려웠다.

그러나 삼성전자는 이런 D램 공정한계를 독자기술로 극복하고 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술도 마련하게 됐다.
또한 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다.
20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 '초절전 그린IT 솔루션'을 제공하게 됐다.

전영현 메모리사업부 전략마케팅 부사장은 "20나노 D램은 PC에서 모바일 시장까지 비중을 확대하며 시장의 주력제품이 될 것"이라고 밝혔다.