삼성전자가 세계 최초로 3비트 '3차원 V낸드 플래시 메모리(사진)' 양산을 시작했다.

3비트 V낸드는 지난 5월 양산한 2세대에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트 제품으로 낸드플래시 메모리 시장에서 우위를 점하게 됐다.

3비트 V낸드는 독자기술인 3차원 CTF셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정은 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장하는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 셀 저장 용량을 1.5배 확대했다. 이에 따라 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품보다 생산성이 2배 이상 향상됐다.

이와 관련 한재수 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "3비트 V낸드는 HDD에서 SSD로의 전환을 더욱 가속화 할 것"이라며 "향후 3비트 V낸드 기반 고용량SSD 출시를 통해 SSD사업에서의 고성장세를 유지할 것"이라고 강조했다.