▲ 삼성전자가 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급 8Gb DDR4 D램을 양산했다. (자료=삼성전자)

삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 D램 시대’를 열었다. 미세공정의 한계를 돌파하며 앞선 기술력으로 경쟁사들 사이에서 우위를 차지했다.

삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 ‘10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램’을 양산했다고 5일 밝혔다.

지난 2014년 세계 최초로 ‘20나노 4Gb DDR3 D램’을 양산한 데 이어 이번 ‘10나노급 8Gb DDR4 D램’의 양산으로 다시 한 번 반도체 미세공정의 한계를 돌파했다.

‘10나노급 8Gb DDR4 D램’은 초고속․초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공한다.

이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술을 적용했다. 특히 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 제조 경쟁력을 더욱 높였다.

‘초고집적 설계 기술’은 삼성전자가 자체 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 낸드플래시 양산에 적용한 ‘사중 포토 노광 기술’을 업계 최초로 D램에도 구현해 D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다.

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점할 계획이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 “10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.