삼성전자가 올해 125억달러(약 14조5000억원)을 시설투자로 집행해서 지난해에 이어 올해에도 세계 1위를 기록할 전망이다.
7일 시장조사기관 IC인사이츠에 따르면 삼성전자 반도체 부문의 올해 자본적 지출(CAPEX·시설투자) 전망치는 125억달러로 지난해보다 11% 늘어날 것으로 예상된다. 지난해에는 전년보다 13% 줄어든 113억달러를 투자했다.
지난 1월 삼성전자는 지나해 반도체에 13조2000억원의 시설투자비를 집행했으며, 메모리와 시스템LSI의 비중은 8대2라고 밝힌 바 있다. 당시 올해 시설투자 규모는 확정하지 않았다며 발표하지 않았다.
SK하이닉스의 시설투자 규모는 세계 4위로 올해 60억달러(약 7조원)를 집행할 방침이다. 지난해에는 전년보다 14% 줄어든 51억8800만달러(약 6조5000억원)를 기록했다.
지난해 삼성전자와 SK하이닉스가 시설투자를 줄였던 것은 D램 시장의 약세 때문이다. 그러나 지난해 하반기부터 D램 시장이 성장세로 돌아섰고, 3D 낸드에 대한 투자가 늘면서 올해 전체적인 투자 규모가 늘어난 것으로 보인다.
삼성전자는 경기도 평택에 세계 최대 규모인 반도체단지를 짓고 있으며 올해 중반부터 V-낸드를 양산할 계획이다.
SK하이닉스는 올해 D램 투자는 줄이고 3D 낸드 생산량 확대를 위한 투자는 늘리기로 했다.
올해 시설투자 증가분은 경기도 이천 공장 M14의 클린룸 건설과 관련 인프라에 쓰인다.
한편 세계 최대 마이크로프로세서 제조 기업인 인텔은 시설투자에서도 공격적인 행보를 보이고 있다.
인텔의 올해 시설투자액은 120억달러(약 14조원)로 삼성전자에 이어 2번째로 많다.
인텔은 2016년에 2015년 대비 투자액을 31% 늘리더니 올해도 25%나 늘릴 것으로 예상된다.
세계 최대 반도체 수탁생산(파운드리) 업체인 대만의 TSMC는 지난해보다 2% 줄어든 100억달러(약 11조6000억원)를 투자할 것으로 점쳐졌다. 인텔과 삼성전자, TSMC는 메모리와 비메모리(시스템 반도체 등)를 아우르는 종합반도체(IDM) 순위에서 1∼3위를 차지한다.

▲2017년 시설투자 전망치