SK하이닉스는 최근 전세계 D램 및 낸드플래시 메모리 수요 증가에 대응해 올해 관련 시설투자에 총 9조6000억원을 투입할 것이라고 26일 밝혔다.
이는 올 초 밝혔던 시설투자 규모 7조원에서 37% 늘어난 것으로, 지난해 6조2900억원에 비해서는 53%나 확대된 수치다.
SK하이닉스는 이날 공시에서 "시장환경 변화에 적극적으로 대응하고, 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 해외법인을 포함한 올해 시설투자 계획을 변경한다"고 설명했다.
구체적으로는 청주와 중국 우시의 클린룸을 당초 계획보다 앞당긴 내년 4분기까지 구축을 마무리한다는 방침이다. 당초 청주는 오는 2019년 6월, 우시는 같은 해 4월까지 건설을 완료할 계획이었다.

▲ SK하이닉스가 올해 시설투자에 9조6000억원을 투자한다고 26일 밝혔다.(사진=연합)

이처럼 클린룸 완공을 서두르는 것은 기존의 공정 전환만으로는 빅데이터, 자율주행자동차, 인공지능(AI) 등의 메모리 반도체 수요를 충족하기 어렵다는 판단에 따른 것으로 풀이된다.
최근 메모리 반도체 업계는 기술 개발과 생산 난도가 높아져 대규모 투자가 수반되지 않을 경우 생산량이 줄어들 수밖에 없고, 이에 따라 업체들은 수익의 상당 부분을 시설투자에 투입하고 있으나 급증하는 수요를 감당하지 못하는 것으로 알려졌다.
SK하이닉스는 전날 2분기 실적 발표 이후 컨퍼런스콜에서도 "올해 연말까지 D램과 낸드의 생산량을 늘리는 것을 검토하고 있다"면서 "아울러 청주와 우시 공장의 완공 시기를 앞당기는 방안을 검토 중"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 지난 2분기 매출 6조6923억원, 영업이익 3조507억원을 각각 올려 사상 최고 기록을 세웠다.