삼성전자는 10나노 2세대 핀펫 공정(10LPP, Low Power Plus) 기반의 파운드리(반도체 수탁생산) SoC(시스템온칩) 제품의 양산을 시작한다고 29일 밝혔다.
 
지난해 10월 반도체 업계 최초로 10나노 1세대 공정(10LPE)의 양산에 성공한 데 이어 한 걸음 더 진전된 10나노 2세대 공정까지 양산 체제를 갖춘 것이다.
 
삼성전자에 따르면 10나노 2세대 공정은 종전의 1세대 공정보다 성능과 전력 효율이 각각 10%, 15% 향상됐다.
 
또 10LPP 공정은 이미 양산을 통해 검증된 1세대 공정을 기반으로 한 만큼 제품 개발부터 양산까지 걸리는 시간(TAT)이 대폭 감소하고 초기 수율(양산품의 비율) 확보가 용이한 장점이 있다.
 
10LPP 공정이 적용된 제품은 내년 초 출시될 IT 신제품에 탑재되기 시작해 앞으로 다양한 고객과 응용처에 확대 적용될 예정이다.
 
업계에서는 퀄컴의 차세대 AP(애플리케이션 프로세서)인 '스냅드래곤 845', 삼성전자의 차세대 AP '엑시노스 9시리즈' 등에 이 공정이 적용될 것으로 예상하고 있다.
  

▲ 삼성전자 화성 반도체 공장 S3 라인 전경

 
삼성전자 파운드리 마케팅팀 이상현 상무는 "10LPP 공정은 고객에게 향상된 성능을 제공할 뿐 아니라 높은 초기 수율로 적기에 신제품을 출시할 수 있도록 했다"며 "앞으로 10나노 기반 공정을 8LPP 공정까지 확대하는 등 삼성전자의 10나노 장기 활용 전략은 지속될 것"이라고 말했다.
 
삼성전자는 지난달 10나노 2세대 공정을 기반으로 한 8나노 파운드리 공정을 개발했다고 발표한 바 있다.
 
이는 10나노 공정보다 회로선폭을 축소한 첨단 공정으로, 삼성전자는 이를 통해 다음 공정인 7나노 도입 전까지 10나노 기반 기술을 길게 활용한다는 전략이다.
 
삼성전자는 또 화성캠퍼스 S3 라인의 파운드리 공정 양산 준비를 완료했다고 밝혔다. S3 라인에서는 10나노 2세대 공정을 적용해 제품을 생산하게 된다.
 
S3 라인은 기흥캠퍼스의 S2, 미국 오스틴의 S2 라인에 이은 삼성의 세 번째 파운드리 팹으로, EUV(극자외선) 기술이 적용되는 7나노 핀펫 공정 역시 앞으로 이곳에서 양산될 예정이다.