삼성전자, HKMG 공정 적용한 고용량 DDR5 메모리 첫 개발
삼성전자, HKMG 공정 적용한 고용량 DDR5 메모리 첫 개발
  • 황병우 기자
  • 승인 2021.03.25 15:31
  • 댓글 0
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High-K Metal Gate(HKMG), 8단 TSV 적용으로 512GB DDR5 모듈 구현
저전압에서 고성능 구현이 가능한 고유전율 물질을 DDR5 최초 적용
기존 공정 대비 약 13% 전력소모 낮추고, 성능은 2배 이상 빨라져
차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등에 적용 예정
삼성전자 512GB DDR5 모듈 사진 (사진=삼성전자)
삼성전자 512GB DDR5 모듈 사진 (사진=삼성전자)

최근 차세대 고성능 컴퓨터 CPU들이 잇달아 등장하고 고용량 게임들이 등장하면서 새로운 메모리에 대한 필요성이 점차 대두되고 있다. 그런 가운데, 삼성전자가 '하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)' 공정을 적용한 고용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.

25일 삼성전자는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 지닌 DDR5 메모리 모듈을 공개했다. DDR5는 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 수 있으며, 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도이다. 

이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현해, 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다는게 삼성전자의 설명이다.

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 

아을러, 삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 밝혔다. 

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.

[파이낸셜신문=황병우 기자] 


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