AI에 최적화된 고용량 D램 솔루션 제공, 1TB 모듈 구현 가능
연내 양산 예정으로 AI, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처 공급 예정
삼성전자가 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 처음 개발하는데 성공했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이라고 1일 삼성전자는 밝혔다.
1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거둔 셈이라고 강조했다.
삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다.
특히, 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현하여, 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작이 가능하다.
또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것이라고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또한 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다. [파이낸셜신문=황병우 기자]
