SK하이닉스는 지난 21일 용인시의 건축 허가가 승인됨에 따라, 용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다.

SK하이닉스에 따르면, 용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지이다.

이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이라고 설명했다.

SK하이닉스 관계자는 "SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다"라고 밝혔다.

이어서 "이와 더불어, 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다"라고 덧붙였다. [파이낸셜신문=황병우 기자] 

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